Datasheet下载- 型号： RSD080N06TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSD080N06TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSD080N06TL价格参考。ROHM SemiconductorRSD080N06TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSD080N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSD080N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSD080N06TL是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值8.0 mΩ @ Vgs=10V）、60V耐压、连续漏极电流达80A（Tc=25℃），具备良好的热性能和开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换器：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，提升转换效率； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动模块，尤其在电动工具、家电（如吸尘器、风扇）中承担高电流开关功能； - 负载开关与电源管理：作为主板、嵌入式系统中的高效电源通断控制器件，支持快速响应与低功耗待机； - LED照明驱动：用于恒流驱动电路或调光控制中的主开关元件； - 电池管理系统（BMS）：在便携设备或轻型储能系统中用作充放电保护开关。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），内置ESD保护，可靠性高，适合高密度、高效率的中功率应用。需注意合理设计PCB散热焊盘及驱动电路（推荐10–15V栅极驱动电压），以充分发挥其低损耗优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8A CPT3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSD080N06TL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 8A， 10V |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 功率-最大值 | 15W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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