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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RSB6.8F2T106
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSB6.8F2T106由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSB6.8F2T106价格参考。ROHM SemiconductorRSB6.8F2T106封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSB6.8F2T106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSB6.8F2T106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSB6.8F2T106 是罗姆（ROHM）半导体推出的贴片型TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高速、低电容的静电放电（ESD）和浪涌保护设计。其标称击穿电压约6.8V，峰值脉冲功率达200W（8/20μs波形），结电容典型值仅15pF（0V偏置），响应时间小于1ns。 主要应用场景包括： - 高速数据接口保护：如USB 2.0、HDMI、LVDS、MIPI、SD卡接口等，凭借低电容特性可避免信号完整性劣化； - 便携式电子设备：智能手机、平板电脑、TWS耳机等的I/O端口（按键、耳机插孔、Type-C接口）ESD防护（满足IEC 61000-4-2 ±15kV空气放电/±8kV接触放电标准）； - 工业与汽车电子：车载信息娱乐系统（IVI）的CAN/LIN总线辅助保护、传感器信号线（如温度、压力传感器）的瞬态过压抑制； - 电源输入端初级防护：配合后级TVS或OVP器件，用于5V供电轨的二级浪涌钳位（如USB供电路径）。 该器件采用小型SOD-323封装（1.7×1.3×0.9mm），适合高密度PCB布局，且符合AEC-Q200可靠性认证（部分批次），具备良好的温度稳定性（工作范围−55℃~+150℃）和长期可靠性，广泛用于对尺寸、响应速度及信号保真度要求严苛的终端产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 3.5VWM UMD3TVS二极管阵列 DI; BIDIRECTIONAL ZENER |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ROHM Semiconductor RSB6.8F2T106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSB6.8F2T106 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | UMD3 |
| 其它名称 | RSB6.8F2T106CT |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 2 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 尺寸 | 2 mm W x 2.1 mm L x 0.9 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 0.5 uA |
| 峰值脉冲功率耗散 | 200 mW |
| 工作温度 | - |
| 工作电压 | 7.82 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.78V |
| 电压-反向关态（典型值） | 3.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | - |
| 电容 | 30 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
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