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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RSB18F2T106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSB18F2T106价格参考。ROHM SemiconductorRSB18F2T106封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RSB18F2T106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSB18F2T106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSB18F2T106 是罗姆(ROHM)半导体推出的表面贴装型TVS(瞬态电压抑制)二极管,专为高速、低电容、高可靠性ESD/浪涌防护设计。其典型应用包括: - 高速通信接口保护:如USB 2.0/3.0、HDMI、LVDS、MIPI D-PHY等信号线,凭借超低结电容(典型值仅0.35 pF @ 0 V)和快速响应时间(<1 ns),可有效抑制ESD(±15 kV接触放电,IEC 61000-4-2 Level 4)及瞬态浪涌,同时不劣化信号完整性; - 便携式电子设备接口防护:智能手机、平板电脑、TWS耳机等的Type-C接口、音频插孔、SIM卡槽等易受人体静电侵入的部位; - 工业与汽车电子中的敏感I/O端口:如车载信息娱乐系统(IVI)的摄像头视频输入(FPD-Link)、传感器信号线(如I²C、SPI总线),满足AEC-Q200可靠性认证(该型号为车规级产品),具备-40°C~+125°C工作温度范围; - 空间受限的高密度PCB设计:采用小型TSOP-6封装(1.6 × 1.6 × 0.6 mm),支持自动化贴片,适用于紧凑型终端设备。 综上,RSB18F2T106 主要面向对ESD防护等级高、信号速率快、PCB布局空间严苛的消费电子、车载及工业嵌入式系统中的高速数据线保护场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 13VWM UMD3TVS二极管阵列 DI; BIDIRECTIONAL ZENER |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ROHM Semiconductor RSB18F2T106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSB18F2T106 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | UMD3 |
| 其它名称 | RSB18F2T106CT |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 2 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 尺寸 | 2 mm W x 2.1 mm L x 0.9 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 0.1 uA |
| 峰值脉冲功率耗散 | 200 mW |
| 工作温度 | - |
| 工作电压 | 19.8 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 16.2V |
| 电压-反向关态(典型值) | 13V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | - |
| 电容 | 30 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |