Datasheet下载- 型号： RSB12ZT2L
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSB12ZT2L由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSB12ZT2L价格参考。ROHM SemiconductorRSB12ZT2L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSB12ZT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSB12ZT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSB12ZT2L是罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），主要用于电路的静电放电（ESD）保护和瞬态电压抑制。该器件具有低电容、快速响应和高可靠性等特点，适用于对信号完整性要求较高的电子设备。 典型应用场景包括：便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的数据接口保护（如USB、HDMI、音频接口等）；工业控制设备中通信端口的ESD防护；以及消费类电子产品的按键、触摸屏等易受静电影响的部位。RSB12ZT2L能有效吸收高达8kV接触ESD脉冲（IEC61000-4-2标准），防止敏感IC因静电或瞬态过压而损坏。 此外，其小型化封装（如SOD-962）节省PCB空间，适合高密度布局的现代电子设计。由于其低漏电流和低工作电压（标称击穿电压约13.3V），该TVS二极管也适用于3.3V或5V供电系统的电源轨保护。 综上，RSB12ZT2L广泛应用于需要高效ESD防护的消费电子、工业设备和通信模块中，提升系统稳定性和使用寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 9VWM VMD3TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DI LO-CAPACITANCE ZENER; SMT |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ROHM Semiconductor RSB12ZT2L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSB12ZT2L |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | VMD3 |
| 其它名称 | RSB12ZT2LTR |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 尺寸 | 0.8 mm W x 1.2 mm L x 0.5 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 0.1 uA |
| 峰值脉冲功率耗散 | 150 mW |
| 工作温度 | - |
| 工作电压 | 14.4 V |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 应用 | 通用 |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 9.6V |
| 电压-反向关态（典型值） | 9V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | - |
| 电容 | 1 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | RSB12Z |
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