Datasheet下载- 型号： RSA12MGTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSA12MGTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSA12MGTR价格参考。ROHM SemiconductorRSA12MGTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSA12MGTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSA12MGTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC SOD123TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ZENR ESD PROT 200W SOD-123 |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ROHM Semiconductor RSA12MGTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSA12MGTR |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | RSA12MGDKR |
| 击穿电压 | 13.3 V |
| 功率-峰值脉冲 | 200W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 尺寸 | 1.6 mm W x 2.6 mm L x 0.8 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 10.1 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 200 W |
| 工作温度 | - |
| 工作电压 | 12 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 10.1A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 钳位电压 | 19.9 V |
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