【未分类_RS1E280GNTB】封装/厂家_RS1E280GNTB中文资料_价格

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型号： RS1E280GNTB
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RS1E280GNTB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RS1E280GNTB价格参考。ROHM SemiconductorRS1E280GNTB封装/规格：未分类，暂无。您可以下载RS1E280GNTB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RS1E280GNTB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RS1E280GNTB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道SiC（碳化硅）MOSFET单管，采用TO-263（D2PAK）封装，额定电压650V，连续漏极电流28A（Tc=25℃），典型导通电阻Rds(on)仅34mΩ（Vgs=18V）。其核心优势在于SiC材料带来的高耐压、低开关损耗、高开关频率及高温稳定性（可工作于175℃结温）。

典型应用场景包括：  
✅ 高效率工业电源：如服务器/通信设备的PFC（功率因数校正）电路与LLC谐振变换器，显著提升效率并缩小散热器体积；  
✅ 新能源系统：光伏逆变器中的DC-AC升压与逆变级，支持高频开关以减小磁性元件尺寸；  
✅ 电动汽车车载充电机（OBC）及DC-DC转换器，满足高功率密度与高可靠性要求；  
✅ 不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中的高频隔离型双向变换器；  
✅ 工业电机驱动与高频感应加热电源等对开关速度与热性能要求严苛的场合。

该器件需配合优化的栅极驱动（推荐15–18V驱动电压，避免米勒平台误导通）及低感PCB布局使用，适用于追求小型化、高能效与长期可靠性的中高功率（1–5kW级）电力电子系统。

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