Datasheet下载- 型号： RRS110N03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RRS110N03TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRS110N03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRRS110N03TB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RRS110N03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RRS110N03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRS110N03TB1 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSMT6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.8mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=110A）、快速开关特性及优异的热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换器：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK电路，提升效率并减小发热； - 电机驱动：适用于无人机电调（ESC）、电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）等中小功率BLDC/PMSM电机的H桥或半桥驱动； - 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护开关或均衡开关，利用其低Rds(on)降低功耗与温升； - LED照明驱动：用于大电流LED恒流驱动或PWM调光开关； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等非安全关键场景。 该器件支持10V逻辑电平驱动，兼容主流MCU/驱动IC，配合小型化封装，特别适合空间受限、高能效要求的中高功率应用。使用时建议优化PCB布局以降低寄生电感，并配合适当的栅极驱动与散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RRS110N03TB1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.6 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RRS110N03TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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