【未分类_RQ3E080GNTB】封装/厂家_RQ3E080GNTB中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： RQ3E080GNTB
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RQ3E080GNTB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RQ3E080GNTB价格参考。ROHM SemiconductorRQ3E080GNTB封装/规格：未分类，暂无。您可以下载RQ3E080GNTB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RQ3E080GNTB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的RQ3E080GNTB是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（TSMT6），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅8.0 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度及优良热性能。其主要应用场景包括：

- DC-DC电源转换器：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品的同步整流BUCK转换器中，提升转换效率并减小发热；
- 负载开关与电源管理：适用于电池供电系统中的主/辅电源切换、USB端口过流保护、PMIC后级负载开关等，支持快速启停与低静态功耗；
- 电机驱动电路：用于小型直流有刷电机（如风扇、振动马达）的H桥或单路驱动，兼顾低导通损耗与紧凑布局；
- LED驱动与背光控制：在手机/显示器背光调光电路中作为PWM开关器件，响应快、EMI较低；
- 工业与IoT传感器节点：因封装尺寸小（2.9×2.8 mm）、结电容低、驱动要求适中（Vgs(th) 1.0–2.5 V），适合空间受限的嵌入式电源设计。

该器件额定电压为30 V，连续漏极电流达12 A（Tc=25℃），具备内置ESD保护及雪崩耐量，可靠性高。适用于需高能效、小体积与成本敏感的中低压（≤24 V系统）电源与功率控制场景。

产品参数图文手册常见问题