Datasheet下载- 型号： RQ1E100XNTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RQ1E100XNTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RQ1E100XNTR价格参考。ROHM SemiconductorRQ1E100XNTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RQ1E100XNTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RQ1E100XNTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RQ1E100XNTR是一款N沟道增强型功率MOSFET（单管），采用小型表面贴装封装（TSMT6，尺寸约2.0×2.0×0.7mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅10mΩ @ VGS=4.5V）、高开关速度及优异的热性能。其额定电压为20V，连续漏极电流达6.5A（Tc=25℃），适用于空间受限、高效率的低压直流电源管理场景。 典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源开关：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的电池充放电路径管理、负载开关（Load Switch）； - DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在12V/5V/3.3V等低压大电流输出端）； - 电机驱动电路：用于小型无刷直流（BLDC）电机或步进电机的H桥低端开关，或风扇、振动马达的PWM调速控制； - LED驱动与背光控制：作为恒流源开关或调光MOSFET，支持高频率PWM调光； - USB PD/快充协议芯片外围电路：配合控制器实现过流保护、热插拔控制及路径管理。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、ESD防护（HBM 2000V），并符合AEC-Q101车规可靠性标准（部分批次），亦可用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助模块等对可靠性要求较高的工业及汽车电子子系统。其小尺寸与低功耗特性特别适合高密度PCB布局需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RQ1E100XNTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 功率-最大值 | 550mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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