Datasheet下载- 型号： RP1E100XNTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E100XNTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1E100XNTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1E100XNTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1E100XNTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1E100XNTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1E100XNTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-23），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 100 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.7 nC）和高开关效率等特点。其额定电压为20 V，连续漏极电流达0.5 A（Ta = 25°C），适用于低压、小功率、高密度的便携式电子系统。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED驱动、背光控制或负载开关； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流——在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率； ✅ 电机驱动与负载控制——用于微型直流电机（如振动马达、风扇）、电磁阀或继电器的小信号驱动电路； ✅ USB接口保护与热插拔控制——配合限流/过压保护IC，实现快速响应的电源通断管理； ✅ IoT传感器节点与低功耗MCU外围电路——作为逻辑电平控制的开关，支持3.3 V/5 V MCU直接驱动（VGS(th)低至0.6–1.2 V）。 其SOT-23封装节省PCB空间，适合高集成度设计；内置ESD保护（HBM ±2000 V）增强了系统可靠性。需注意：实际应用中应合理设计PCB散热路径，并避免长期工作在最大额定值边缘，以保障长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RP1E100XNTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1E100XNTRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
RP1E100XNTR 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商