Datasheet下载- 型号： RP1E070XNTCR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E070XNTCR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1E070XNTCR价格参考。ROHM SemiconductorRP1E070XNTCR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1E070XNTCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1E070XNTCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1E070XNTCR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSMT6封装（2.9 mm × 2.8 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 7.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关速度及优良热性能。其额定电压为30 V，连续漏极电流达12 A（Tc = 25°C），适合中低压、中电流的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：广泛用于智能手机、平板电脑、TWS耳机等便携设备的同步整流BUCK转换器中，提升转换效率并减小发热； ✅ 电池保护电路：作为充放电路径的主控开关（如电子烟、移动电源、电动工具电池组），配合保护IC实现过流/短路保护； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小尺寸LCD背光调光或RGB LED恒流驱动中的PWM开关器件； ✅ 电机驱动模块：适用于微型直流电机（如风扇、振动马达、摄像头OIS）的H桥或单向驱动，兼顾响应速度与能效； ✅ 负载开关（Load Switch）：在多电源域系统中实现上电时序控制、电源隔离与浪涌电流抑制，支持低静态电流和快速关断。 该器件具备100%通过雪崩耐量测试（EAS），增强系统鲁棒性；且符合AEC-Q101标准（部分批次），亦可用于车规级辅助电子（如车载USB充电模块、智能座舱传感器供电）。其小尺寸与高功率密度特性，特别契合空间受限、强调轻薄化与能效比的消费类与工业嵌入式设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RP1E070XNTCR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1E070XNTCRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta） |
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