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  • 型号: RN2119MFV(TPL3)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN2119MFV(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2119MFV(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2119MFV(TPL3)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN2119MFV(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN2119MFV(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 50V 0.1A VESM

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2119MFV

产品图片

产品型号

RN2119MFV(TPL3)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,5V

供应商器件封装

VESM

其它名称

RN2119MFV(TPL3)DKR

功率-最大值

150mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-723

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

1k

频率-跃迁

-

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