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  • 型号: RN1964TE85LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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RN1964TE85LF产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN US6

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961

产品图片

产品型号

RN1964TE85LF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

供应商器件封装

US6

其它名称

RN1964TE85LFCT

功率-最大值

200mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k

频率-跃迁

250MHz

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