Datasheet下载- 型号： RN1962FE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1962FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1962FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1962FE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1962FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1962FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1962FE(TE85L,F)，属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）品牌，分类为 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 的器件，是一种集成预偏置电阻的双极型晶体管阵列，常用于需要简化电路设计、提高稳定性的场景。 其主要应用场景包括： 1. 数字开关电路：适用于逻辑控制电路中的开关元件，因其内置偏置电阻，可省去外部电阻设计，简化PCB布局。 2. 驱动电路：用于驱动LED、小型继电器、蜂鸣器等负载，适用于家电、工业控制设备中。 3. 信号放大电路：在低频信号放大中作为前置放大或缓冲级使用，适合对成本和空间有要求的电子产品。 4. 嵌入式系统与消费类电子产品：如智能手机、平板、穿戴设备、家用电器等，用于逻辑控制、接口电路中的电平转换或信号处理。 5. 汽车电子：在车载控制系统中用于传感器信号处理或执行器驱动，满足对稳定性和集成度要求。 该器件因集成度高、封装小巧、使用方便，广泛应用于对空间和可靠性有要求的中低功率电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN DUAL 50V 100MA ES6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1962FE(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | RN1962FE(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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