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Datasheet下载- 型号： RN1502(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1502(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1502(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1502(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1502(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1502(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1502(TE85L,F)、品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管，属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置 类别，主要应用于需要高集成度和稳定性的电子电路中。 该器件内部集成了多个预偏置的BJT晶体管，适用于以下典型应用场景： 1. 逻辑电平转换电路：用于不同电压系统之间的信号转换，如将3.3V控制器信号转换为5V输出信号，广泛用于嵌入式系统和工业控制设备中。 2. 接口电路：作为微控制器或数字IC与外部设备之间的缓冲或驱动接口，提高信号驱动能力并增强抗干扰性能。 3. 继电器/LED驱动电路：可用于驱动小型继电器、LED显示屏或多色LED灯组，尤其在消费类电子产品中应用广泛。 4. 电源管理电路：在电池供电设备中实现低功耗开关控制，例如便携式设备中的负载切换或充电控制。 5. 汽车电子系统：由于其封装小、稳定性好，也适合用于车载娱乐系统、传感器控制模块等非动力控制系统中。 6. 通用放大器电路：在音频或模拟信号处理中作小信号放大使用，尤其适合空间受限的便携设备设计。 该器件采用SOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。预偏置结构简化了外围电路设计，降低了设计复杂度，提高了系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN DUAL CE NPN SMV 50V 100A开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1376891&lineid=52&subcategoryid=46&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1502(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1502 |
| 产品型号 | RN1502(TE85L,F)RN1502(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMV |
| 其它名称 | RN1502(TE85LF)DKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 封装/箱体 | SMV-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 250 MHz (Typ) |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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