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Datasheet下载- 型号： RN1106MFV(TL3,T)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1106MFV(TL3,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1106MFV(TL3,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1106MFV(TL3,T)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1106MFV(TL3,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1106MFV(TL3,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1106MFV(TL3,T) 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌下的 预偏置双极型晶体管（BJT），其主要特点是内置偏置电阻，简化电路设计，提高稳定性。 该器件常用于以下应用场景： 1. 数字开关电路：由于内置偏置电阻，适合用于逻辑控制的开关应用，如微控制器外围驱动电路。 2. 信号放大电路：适用于低频信号放大，如音频前置放大器等。 3. 电源管理电路：可用于DC-DC转换器、负载开关或稳压电路中，实现对电流的精确控制。 4. 工业自动化设备：作为控制模块中的关键元件，用于传感器信号处理或执行机构驱动。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、小家电等内部电路中，用作逻辑控制或小型电机驱动。 总结来说，RN1106MFV(TL3,T) 凭借其集成化设计和稳定性能，广泛应用于需要简化电路结构、提高可靠性的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN VESM |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1106MFV(TL3,T) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 其它名称 | RN1106MFV(TL3T)DKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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