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  • 型号: RLZTE-118.2B
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RLZTE-118.2B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RLZTE-118.2B价格参考。ROHM SemiconductorRLZTE-118.2B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RLZTE-118.2B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RLZTE-118.2B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的RLZTE-118.2B是一款单齐纳二极管,其主要功能是通过提供稳定的反向击穿电压来实现电压调节和保护电路。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电压稳压
   - RLZTE-118.2B可以用作简单的电压稳压器,在低功率电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以确保输出电压在一定范围内保持恒定,适用于对电压稳定性要求较高的场景,如传感器供电或信号处理电路。

 2. 过压保护
   - 在电子设备中,齐纳二极管常用于防止瞬态过电压损坏敏感元件。RLZTE-118.2B可以吸收瞬间高电压,保护后续电路免受损害。例如,在汽车电子系统或工业控制设备中,它可用于保护微控制器或其他关键组件。

 3. 信号电平转换
   - 在通信或信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制输入信号的幅值,确保信号在合适的范围内。RLZTE-118.2B适用于需要精确电平调整的应用,例如音频信号处理或数据传输接口。

 4. 温度补偿电路
   - 齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有波动。RLZTE-118.2B可以通过与其他温度敏感元件(如热敏电阻)配合使用,设计出具有温度补偿功能的电路,适用于精密测量或环境监控系统。

 5. 电源监控与报警
   - 在电池管理系统或电源监控电路中,RLZTE-118.2B可以检测电压是否低于或高于设定阈值,并触发相应的报警或保护机制。例如,在锂电池保护电路中,它可以用于监测充电状态或防止过放电。

 6. LED驱动电路中的限压保护
   - 在LED驱动电路中,RLZTE-118.2B可以限制驱动电压,避免因电流过大导致LED损坏,同时保证LED亮度的稳定性。

 特性总结:
- 额定电压:118.2V,适合高压应用。
- 低动态阻抗:提供更精确的电压调节。
- 高可靠性:Rohm品牌以其高质量和稳定性著称,适合长时间运行的工业或车载环境。

总之,RLZTE-118.2B适用于需要稳定电压、过压保护或信号调节的各种电子设备,尤其是在高压环境下表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 8V 500MW LLDS

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

RLZTE-118.2B

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 5V

供应商器件封装

LLDS

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±3%

封装/外壳

SOD-80C

工作温度

-

标准包装

2,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

8V

阻抗(最大值)(Zzt)

8 欧姆

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