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  • 型号: RJU002N06T106
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RJU002N06T106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJU002N06T106价格参考。ROHM SemiconductorRJU002N06T106封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RJU002N06T106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RJU002N06T106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

200 mA

Id-连续漏极电流

200 mA

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RJU002N06T106-

数据手册

产品型号

RJU002N06T106

Pd-PowerDissipation

200 mW

Pd-功率耗散

200 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

7 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

18pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.3 欧姆 @ 200mA,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809

产品目录绘图

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

UMT3

其它名称

RJU002N06T106CT

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

200mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

UMT-3

工具箱

/product-detail/zh/846-1002-KIT/846-1002-KIT-ND/2277303

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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