图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： RCD040N25TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RCD040N25TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RCD040N25TL价格参考。ROHM SemiconductorRCD040N25TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RCD040N25TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RCD040N25TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428MOSFET Nch 250V 4A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RCD040N25TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RCD040N25TL |
| Pd-PowerDissipation | 20 W |
| Pd-功率耗散 | 20 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1000 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | RCD040N25TLCT |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-428 |
| 封装/箱体 | CPT-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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