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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RB411DT146由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RB411DT146价格参考¥0.81-¥0.83。ROHM SemiconductorRB411DT146封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RB411DT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RB411DT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RB411DT146 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的二极管,属于整流器单二极管系列。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源电路中的整流功能 RB411DT146 常用于将交流电(AC)转换为直流电(DC)的整流电路中。例如,在开关电源、适配器或充电器中,它可以将市电经过变压器降压后的交流信号转换为稳定的直流输出。 2. 逆向电压保护 该二极管可用于防止电路中的电流反向流动,从而保护敏感电子元件免受损坏。这种应用场景常见于电池供电设备或需要单向电流控制的系统中。 3. 续流保护 在开关电源、电机驱动或继电器控制电路中,RB411DT146 可作为续流二极管使用,吸收感性负载(如线圈或电机)断开时产生的反电动势,避免对其他元件造成损害。 4. 太阳能发电系统 在光伏系统中,RB411DT146 可用于旁路二极管或防反充二极管,确保太阳能电池板在部分遮挡或夜间情况下不会因电流倒流而受损。 5. 汽车电子领域 该二极管适用于汽车电子系统中的整流和保护功能,例如发电机整流桥、车载充电器以及各种传感器电路中的电流保护。 6. 工业自动化设备 在工业控制领域,RB411DT146 可用于 PLC(可编程逻辑控制器)、变频器或其他工业设备中的整流和保护电路,确保系统的稳定运行。 总结来说,RB411DT146 凭借其高效的整流性能和可靠的耐压能力,广泛应用于消费类电子、工业设备、汽车电子以及新能源等领域,满足不同场景下的电流整流与保护需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SMD3肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 0.5A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ROHM Semiconductor RB411DT146- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RB411DT146 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 500mV @ 500mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 20pF @ 10V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 10V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24952 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SMD3 |
| 其它名称 | RB411DT146DKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-346 |
| 峰值反向电压 | 40 V |
| 工作温度-结 | 125°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 30 uA at 10 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.5 V |
| 正向连续电流 | 0.5 A |
| 热阻 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/rohm/frd.html |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |