Datasheet下载- 型号： R1LV3216RSD-7SI#S0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV3216RSD-7SI#S0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV3216RSD-7SI#S0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV3216RSD-7SI#S0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV3216RSD-7SI#S0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV3216RSD-7SI#S0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV3216RSD-7SI#S0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为32Mbit（4M × 8位），工作电压为3.3V，访问时间7ns，采用54引脚TSOP-II封装，支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并具备待机功耗极低（典型值仅1μA）等特性。 该器件主要面向对可靠性、实时响应和低功耗有严苛要求的嵌入式工业与通信应用场景。典型应用包括：工业自动化设备中的PLC（可编程逻辑控制器）数据缓存与临时寄存；网络通信设备（如交换机、路由器、光模块）中的包缓冲、FIFO暂存及协议处理中间数据存储；医疗电子设备（如便携式监护仪、影像采集前端）中需零等待、无刷新、高稳定性的本地高速缓存；以及汽车电子中的车载信息娱乐系统（IVI）或ADAS辅助模块中用于实时时序敏感的数据暂存（符合AEC-Q100 Grade 3标准，适用于车载非安全关键场景）。 其无需刷新、无限次读写、抗辐射干扰强等SRAM固有优势，使其在需要确定性延迟、数据完整性保障及长期免维护运行的场合优于DRAM或Flash。注意：该型号已进入瑞萨官方停产（EOL）状态，当前多用于存量设备维护或替代设计评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 32MBIT 70NS 52TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV3216RSD-7SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 52-TSOP II |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 32M（4M x 8，2M x 16） |
| 封装/外壳 | 52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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