Datasheet下载- 型号： R1LV3216RSD-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV3216RSD-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV3216RSD-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV3216RSD-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV3216RSD-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV3216RSD-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America 的 R1LV3216RSD-7SI#B0 是一款低功耗、高速的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），容量为 32K × 16 位（即 512 Kbit），工作电压为 3.3V，访问时间典型值为 70 纳秒。该型号采用小型化表面贴装封装，具备高可靠性和稳定性，适用于对性能和功耗有较高要求的工业及通信环境。 其主要应用场景包括：工业自动化控制设备，如可编程逻辑控制器（PLC）和人机界面（HMI），用于快速数据缓存和实时处理；网络通信设备，如路由器、交换机和基站模块，作为临时数据存储以支持高速数据包处理；嵌入式系统和微控制器外围存储，提供稳定的程序和数据存储支持；医疗电子设备中用于图像处理或监测数据的暂存；以及汽车电子中的高级驾驶辅助系统（ADAS）或车载信息娱乐系统，在满足车规级可靠性要求的同时提供快速响应能力。 此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适合在宽温范围内稳定运行，因此也广泛应用于需要适应严苛环境的户外或工业现场设备中。由于其并行接口结构，适用于需要高吞吐量和低延迟的数据交互场景。总体而言，R1LV3216RSD-7SI#B0 是多种高性能嵌入式系统中理想的高速缓存与数据存储解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 32MBIT 70NS 52TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV3216RSD-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 52-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 32M（4M x 8，2M x 16） |
| 封装/外壳 | 52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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