Datasheet下载- 型号： R1LV3216RSD-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV3216RSD-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV3216RSD-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV3216RSD-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV3216RSD-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV3216RSD-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV3216RSD-7SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为32 Mbit（4M × 8位），采用7ns访问时间、3.3V单电源供电，封装为54-pin TSOP II（薄型小外形封装），工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并符合无铅（Pb-free）和RoHS标准。 该器件主要面向对可靠性、低功耗与快速响应有较高要求的嵌入式应用场景，典型应用包括：工业自动化控制系统（如PLC、HMI人机界面）、网络通信设备（交换机/路由器中的缓存与数据缓冲）、医疗电子设备（便携式监护仪、影像处理模块的临时数据暂存）、测试测量仪器（逻辑分析仪、示波器的高速采集缓存）以及车载信息娱乐系统（IVI）中需满足AEC-Q200兼容性要求的非安全关键子系统（注：该型号本身为工业级，非车规认证，实际车载应用需结合系统设计与额外认证）。 其低功耗特性（待机电流典型值仅10μA）适合电池供电或能效敏感设备；7ns访问速度支持与主流MCU（如瑞萨RX系列、RA系列）及FPGA高效协同；TSOP II封装便于PCB布局与量产。需注意：该芯片为异步SRAM，不带内置刷新电路，适用于需确定性低延迟访问、且主控可直接管理地址/数据总线的场景，不适用于需大容量、高集成度或片上管理的场合（此类需求通常选用DDR或LPDDR）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 32MBIT 70NS 52TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV3216RSD-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 52-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 32M（4M x 8，2M x 16） |
| 封装/外壳 | 52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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