Datasheet下载- 型号： R1LV0816ASB-7SI#S0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0816ASB-7SI#S0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0816ASB-7SI#S0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0816ASB-7SI#S0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0816ASB-7SI#S0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0816ASB-7SI#S0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0816ASB-7SI#S0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为8 Mbit（1M × 8位），访问时间7 ns，采用3.3V单电源供电，封装为48-pin TSOP-II（薄型小外形封装），工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并符合无铅（Pb-free）和RoHS标准。 该器件主要面向对可靠性、低功耗与快速响应有较高要求的嵌入式应用场景，典型应用包括：工业自动化控制器（如PLC、HMI人机界面）中的缓存与临时数据缓冲；通信设备（如路由器、交换机、基站基带模块）中用于帧缓存、FIFO或寄存器映射内存；医疗电子设备（如便携式监护仪、影像采集前端）中需稳定运行与低噪声的实时数据暂存；以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘显示控制器等AEC-Q200兼容性可扩展场景（注：本型号本身为工业级，非车规认证，但常被用于对温度与可靠性要求较高的准车用设计中）。 其7 ns超快访问速度与低待机电流（典型值≤1 μA）使其特别适合需要频繁读写、短时唤醒的电池供电或能效敏感型系统。此外，TSOP-II封装便于PCB布局与回流焊生产，适用于空间受限的紧凑型终端设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 70NS 48TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0816ASB-7SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 8M（512K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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