Datasheet下载- 型号： R1LV0816ASB-7SI#S0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0816ASB-7SI#S0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0816ASB-7SI#S0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0816ASB-7SI#S0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0816ASB-7SI#S0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0816ASB-7SI#S0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的R1LV0816ASB-7SI#S0是一款低功耗、高性能的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K × 16位（即8兆位），采用高速70纳秒访问时间设计。该器件主要适用于需要快速数据存取和稳定可靠性能的应用场景。 典型应用包括工业控制设备，如可编程逻辑控制器（PLC）和自动化系统，用于实时数据缓存与处理；通信基础设施设备，如路由器、交换机和基站，支持高速数据包缓冲和临时存储；网络设备中的协议处理和接口管理；以及嵌入式系统中的主控单元外扩内存，提升系统响应速度和运行效率。 此外，该SRAM也广泛应用于医疗电子设备、测试测量仪器和消费类高端电子产品中，满足对稳定性、耐用性和宽温工作范围的需求。其工业级温度特性（-40°C至+85°C）使其能在恶劣环境中稳定运行，适合户外或工业现场使用。 R1LV0816ASB-7SI#S0采用小型化SOJ封装，节省电路板空间，便于高密度布局，适用于对空间敏感的设计。总体而言，该产品适用于各类对速度、功耗和可靠性有较高要求的中高端电子系统，是传统异步SRAM应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 70NS 48TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0816ASB-7SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 8M（512K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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