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- 型号： R1LV0816ASB-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0816ASB-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0816ASB-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0816ASB-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0816ASB-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0816ASB-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的R1LV0816ASB-7SI#B0是一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为8Mbit（512K × 16位），采用48引脚TSOP II封装，工作电压为3.3V。该型号具备70纳秒的访问速度，适用于对数据读写速度和稳定性要求较高的嵌入式系统。 其主要应用场景包括工业自动化控制设备、网络通信设备（如路由器、交换机）、测试与测量仪器以及医疗电子设备等。在这些领域中，R1LV0816ASB-7SI#B0常用于缓存临时数据、存储运行程序或作为微处理器/微控制器的外部高速内存扩展，以提升系统响应速度和处理效率。 由于其工业级温度范围（-40°C至+85°C）和高可靠性设计，该器件特别适合在恶劣环境或长时间连续运行的系统中使用。此外，低功耗特性使其适用于注重能效的便携式或远程终端设备。 综上，R1LV0816ASB-7SI#B0广泛应用于需要稳定、快速、可靠数据存储的工业与通信类嵌入式系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 70NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0816ASB-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 8M（512K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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