Datasheet下载- 型号： R1LV0816ASA-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0816ASA-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0816ASA-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0816ASA-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0816ASA-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0816ASA-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0816ASA-5SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为8 Mbit（1 M × 8位），工作电压为3.3 V，访问时间典型值为55 ns（-5SI后缀表示55 ns速度等级），采用SOIC-32封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并具备待机功耗极低（≤1 μA）等特性。 该器件主要面向对可靠性、稳定性和低功耗有较高要求的工业与嵌入式应用场景，典型应用包括：工业自动化控制设备（如PLC模块、HMI人机界面、运动控制器）中的缓存/临时数据存储；通信设备（如路由器、交换机、基站接口模块）中用于帧缓冲或协议处理的高速暂存；医疗电子设备（如便携式监护仪、影像采集前端）中需快速读写且无刷新需求的中间数据缓冲；以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）子模块等符合AEC-Q100基础要求（注：该型号非车规级，但常用于车载非安全相关辅助功能）。 因其无需刷新、零等待读写、抗辐射性优于DRAM等特点，也适用于航天、军工等高可靠性领域（需配合筛选与测试）。不适用于大容量主存或成本敏感型消费电子。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0816ASA-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-TSOP I |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 8M（1M x 8，512K x 16） |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |
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