Datasheet下载- 型号： R1LV0208BSA-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0208BSA-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0208BSA-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0208BSA-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0208BSA-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0208BSA-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0208BSA-5SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为2Mbit（256K × 8位），工作电压为3.3V，访问时间典型值为55ns（-5SI后缀中的“5”即代表55ns），采用44-pin TSOP II封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并符合无铅（Pb-free）和RoHS标准。 该器件主要面向对可靠性、稳定性和低功耗有较高要求的工业及嵌入式应用场景。典型应用包括：工业自动化设备（如PLC、HMI人机界面、运动控制器）中的高速缓存或临时数据缓冲；通信设备（如路由器、交换机、基站接口模块）中用于帧缓存、FIFO或寄存器映射内存；医疗电子设备（如便携式监护仪、影像采集前端）中需快速响应且长期稳定运行的数据暂存；以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统等符合AEC-Q200基础要求（注：本型号非车规级，但工业级温宽与抗干扰设计使其可谨慎用于部分车载非安全相关子系统）。此外，也适用于测试测量仪器、数字信号处理（DSP）协处理器外围、FPGA/ASIC启动配置缓存等场景。 需注意：该芯片为异步SRAM，不带内置刷新电路，无需时钟驱动，适合确定性实时系统；但不适用于大容量主存或需掉电数据保持的场合（无非易失性）。设计时应关注电源去耦、信号完整性及工业环境下的EMC防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 55NS 32STSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0208BSA-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-sTSOP |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 2M （256K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP （0.465"， 11.80mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |
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