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- 型号： R1LP5256ESP-5SR#S0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP5256ESP-5SR#S0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP5256ESP-5SR#S0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP5256ESP-5SR#S0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP5256ESP-5SR#S0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP5256ESP-5SR#S0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LP5256ESP-5SR#S0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K × 8位（即4Mb），访问时间仅55ns，采用3.3V单电源供电，封装为44-pin TSOP-II（薄型小外形封装）。 该器件主要面向对可靠性、低功耗与快速读写响应有较高要求的嵌入式工业与通信应用场景。典型应用包括：工业自动化控制器（如PLC、HMI人机界面）中的高速缓存或数据缓冲；网络设备（如交换机、路由器、光模块）中的包缓冲、FIFO暂存及配置寄存器备份；医疗电子设备（如便携式监护仪、影像处理终端）中需无刷新、零等待状态运行的实时数据暂存；以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘显示单元等符合AEC-Q100基础可靠性的非安全关键子系统（注：该型号非车规级，实际车载应用需确认具体认证状态）。 其低功耗特性（待机电流典型值仅1μA）也适用于电池供电或能效敏感的便携式仪器与IoT边缘节点。由于是异步SRAM，无需时钟管理，接口简单，易于与MCU（如瑞萨RX系列、RA系列）或FPGA直接连接，常用于替代老式PSRAM或需要确定性延迟的关键缓存层。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LP5256ESP-5SR#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-SOP |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-SOIC（0.342"，8.69mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |
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