Datasheet下载- 型号： R1LP0108ESN-5SI#S0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP0108ESN-5SI#S0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP0108ESN-5SI#S0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP0108ESN-5SI#S0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP0108ESN-5SI#S0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP0108ESN-5SI#S0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America 的 R1LP0108ESN-5SI#S0 是一款低功耗 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），容量为 1Mbit（128K × 8），工作电压为 3.3V，访问时间典型值为 55ns。该产品主要面向需要高速数据存取与稳定可靠性的工业及通信类应用场景。 典型应用包括工业自动化控制系统、网络通信设备（如路由器、交换机）、嵌入式系统以及实时数据缓存模块。其高速读写性能和低功耗特性使其适用于对响应时间和能效要求较高的场合。此外，该器件具备良好的温度稳定性，可在宽温范围内可靠运行，适合在严苛工业环境中使用。 R1LP0108ESN-5SI#S0 还常用于需要非易失性存储器配合使用的场景，例如与 NOR Flash 搭配作为高速缓存，提升系统整体性能。其小型化封装（如 SOIC）有助于节省电路板空间，适用于紧凑型设计。 综上，该型号 SRAM 广泛应用于工业控制、通信基础设施、医疗设备及测试仪器等对稳定性与速度有较高要求的领域。
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