Datasheet下载- 型号： PZU5.6DB2,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU5.6DB2,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU5.6DB2,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU5.6DB2,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU5.6DB2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU5.6DB2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU5.6DB2,115 是 NXP Semiconductors 推出的双路齐纳二极管阵列（共阴极结构），标称齐纳电压为 5.6 V，容差 ±5%，最大功耗 300 mW，采用超小型 SOT-363（SC-70）封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定、低成本的5.6 V基准电压；双通道设计便于对称偏置或冗余备份。 2. 过压保护（OVP）与ESD防护：常用于I²C、USB、GPIO等低压数字接口的瞬态电压抑制（TVS功能），配合限流电阻可钳位浪涌/静电至安全电平（如将3.3 V/5 V系统输入钳位在≈5.6 V），提升系统鲁棒性。 3. 电平转换与逻辑箝位：在混合电压系统中（如3.3 V MCU与5 V外设通信），用作输入端箝位二极管，防止电压超标损坏IO口。 4. 电源监控与复位电路：配合比较器或专用监控IC，实现5.6 V电源的欠压/过压检测，保障系统可靠上电与复位。 该器件因体积小、一致性好、热性能优，特别适用于空间受限的便携设备（如TWS耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点）及工业控制模块。需注意：实际应用中应结合限流电阻设计，并避免长期工作在最大功耗边界。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 5.6V 5TSSOP |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PZU5.6DB2,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2.5V |
| 供应商器件封装 | 5-TSSOP |
| 其它名称 | 934061538115 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 配置 | 2 个独立式 |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 40 欧姆 |
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