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  • 型号: PZU3.9B1,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PZU3.9B1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU3.9B1,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU3.9B1,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PZU3.9B1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PZU3.9B1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PZU3.9B1,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高精度、低功耗齐纳稳压二极管,标称稳压值为 3.9 V(容差 ±1%),采用小型 SOD-323 表面贴装封装,具有低动态阻抗(典型值约 100 Ω)和低漏电流(<100 nA @ VR),适用于对电压基准精度与稳定性要求较高的场景。

典型应用场景包括:  
1. 精密电压基准:为 ADC、DAC、传感器信号调理电路或微控制器内部参考提供稳定、低噪声的 3.9 V 基准源;  
2. 电源后级稳压/钳位:在低压(如 5 V 或 3.3 V 系统)中为敏感模拟电路(如运放偏置、RF模块供电)提供局部稳压或过压保护;  
3. 电平转换与逻辑接口保护:配合限流电阻,实现 3.3 V/5 V 系统间 I/O 电平钳位或 ESD 防护;  
4. 便携式与电池供电设备:得益于其低静态电流(反向测试电流仅 5 mA)和小尺寸,广泛用于智能手机、可穿戴设备、IoT 传感器节点等空间与功耗受限场合;  
5. 工业与汽车电子辅助电路:在车载信息娱乐系统或工业控制板中,为 MCU 复位电路、看门狗定时器或 EEPROM 供电提供可靠电压监控点(需配合适当滤波)。

注意:该器件属单齐纳结构,不集成限流电阻,实际应用中需外接串联电阻以限制工作电流并确保稳定击穿。其 AEC-Q200 兼容性(依具体批次)亦支持部分车规级辅助应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3.9V 310MW SOD323F

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PZU3.9B1,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 1V

供应商器件封装

SOD-323F

其它名称

568-3905-6

功率-最大值

310mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

容差

±2%

封装/外壳

SC-90,SOD-323F

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.9V

阻抗(最大值)(Zzt)

90 欧姆

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