Datasheet下载- 型号： PZU3.3B2,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU3.3B2,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU3.3B2,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU3.3B2,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU3.3B2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU3.3B2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU3.3B2,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的3.3V、高精度齐纳二极管（单管），采用SOD-323小体积封装，具有低动态阻抗（典型值≈30 Ω）、窄电压容差（±2%）、低漏电流（IR < 100 nA @ VR=1 V）及良好温度稳定性等特点。其典型应用场景包括： 1. 精密电压基准与稳压：为低功耗微控制器（如NXP LPC系列）、传感器（温湿度、压力传感器）或ADC/DAC电路提供稳定的3.3V参考电压； 2. 电源轨过压保护与箝位：在3.3V系统中用作ESD保护或瞬态电压抑制辅助器件，配合TVS或限流电阻实现I/O端口电压箝位； 3. 信号电平转换与偏置：在模拟前端或接口电路中提供固定偏置点，例如运放输入偏置、比较器阈值设定； 4. 便携式与电池供电设备：因功耗极低（典型测试电流IZ = 5 mA）、封装紧凑（1.3×0.8 mm），广泛用于可穿戴设备、IoT节点、蓝牙模块等对尺寸和功耗敏感的应用。 需注意：该器件非功率型齐纳，不适用于大电流稳压（建议工作电流≤20 mA），设计时应配合限流电阻使用，并避免长期满负荷运行以保障长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU3.3B2,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU3.3B2,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diodes - Zener |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3900-2 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.3V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 2.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU3.3B2 T/R |
| 齐纳电压 | 3.375 V |
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