Datasheet下载- 型号： PZU11B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU11B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU11B,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU11B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU11B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU11B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU11B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款表面贴装（SOD-323 封装）单齐纳二极管，标称稳压值为 11 V（容差 ±5%），最大稳定电流 30 mA，功耗 300 mW。其典型应用场景包括： 1. 电源电压钳位与过压保护：在低压电子系统（如微控制器、传感器接口、IoT 设备）中，用于限制信号线或电源轨电压，防止瞬态过压（如 ESD 或开关噪声）损坏后级敏感器件。 2. 基准电压源：为低精度模拟电路（如比较器参考端、简易 ADC 基准、LED 恒流驱动反馈节点）提供稳定、低成本的 11 V 参考点，适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的场合。 3. 电压检测与监控：配合电阻分压网络，实现电池电压监测（如 12 V 系统欠压/过压告警）、电源上电复位（POR）辅助电路等。 4. ESD 防护协同元件：常与 TVS 或 ESD 保护器件并联使用，提供二级稳压箝位，提升系统鲁棒性。 该器件具有低动态阻抗（典型值 ~25 Ω）、快速响应（纳秒级）及 AEC-Q200 认证（适用于汽车级应用），因此也常见于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性有要求的工业与汽车电子场景。需注意其温度系数约为 +8.5 mV/°C，高精度应用中建议考虑温补设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 11V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU11B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU11B,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3853-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 7.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU11B T/R |
| 齐纳电压 | 11 V |
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