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- 型号： PZT751T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZT751T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZT751T1价格参考。ON SemiconductorPZT751T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZT751T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZT751T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZT751T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款PNP型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23表面贴装封装，具有高增益（hFE典型值达250）、低饱和压降（VCE(sat)低至0.15V @ IC=100mA）和良好开关特性。其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关控制：常用于电源管理电路中的负载开关、LED驱动开关、继电器驱动或风扇控制等，适合3.3V/5V逻辑电平直接驱动（因基极电流需求小，可由MCU GPIO直接控制）； 2. 信号电平转换与反相放大：在低频模拟/数字接口中实现电平移位或信号反相（如将高电平有效转为低电平有效）； 3. 电池供电设备保护电路：配合检测电路构成过流/欠压关断功能，利用其快速开关响应（tf约100ns）提升系统可靠性； 4. 消费电子与工业控制板：广泛应用于打印机、机顶盒、智能电表、传感器模块等对尺寸、功耗和成本敏感的嵌入式系统中。 该器件工作结温范围为−55°C至+150°C，具备良好的热稳定性与ESD防护能力（HBM ≥ 2kV），符合AEC-Q101标准（部分批次），亦适用于车规级辅助电路（如车身控制模块中的非安全相关开关）。需注意：使用时应合理设计基极限流电阻，避免二次击穿，并确保PCB散热满足功耗要求（最大PD≈350mW）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SS HC PNP 2A 60V SOT223 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PZT751T1 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 75 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | PZT751T1OSDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 75MHz |
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