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  • 型号: PUSBM12VX4-TL,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUSBM12VX4-TL,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUSBM12VX4-TL,115价格参考。NXP SemiconductorsPUSBM12VX4-TL,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PUSBM12VX4-TL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUSBM12VX4-TL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 5.5VWM 12VC 6HXSONTVS二极管阵列 High-speed USB OTG ESD protection diode

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PUSBM12VX4-TL,115-

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产品型号

PUSBM12VX4-TL,115

不同频率时的电容

-

产品种类

TVS二极管阵列

供应商器件封装

6-DFN1616(1.6x1.6)

其它名称

568-10918-1

击穿电压

16 V

功率-峰值脉冲

35W

包装

剪切带 (CT)

单向通道

-

双向通道

3

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-XFDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN-6

尺寸

1.6 mm 1.6 mm 0.5 mm L

峰值浪涌电流

6 A

峰值脉冲功率耗散

100 W

工作温度

-30°C ~ 85°C (TA)

工作电压

0.6 V to 1.2 V

工厂包装数量

4000

应用

USB OTG

最大工作温度

+ 85 C

最小工作温度

- 30 C

极性

Unidirectional

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

12.5V

电压-反向关态(典型值)

5.5V(最小值)

电压-箝位(最大值)@Ipp

12V

电容

100 pF

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

3A (8/20µs)

电源线路保护

端接类型

SMD/SMT

类型

转向装置(轨至轨)

通道

4 Channels

钳位电压

8 kV

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