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PTZTE258.2B产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE258.2B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE258.2B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE258.2B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 8.7V 1W ±6% Surface Mount PMDS。您可以下载PTZTE258.2B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTZTE258.2B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTZTE258.2B 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 电压稳压: PTZTE258.2B 的核心功能是提供稳定的参考电压。它可以在电源电路中用作稳压元件,确保负载电压保持在设定范围内,特别适用于低功耗设备或对电压稳定性要求较高的场合。 2. 过电压保护: 在电子电路中,该齐纳二极管可以用于防止瞬时过电压对敏感器件的损害。例如,在信号输入端或电源输入端,它可以将超过其齐纳电压的电压钳位到安全水平。 3. 信号电平调整: 在信号处理电路中,PTZTE258.2B 可以用来调整信号电平。通过将其串联或并联在信号路径中,可以限制信号的最大幅度,从而保护后续电路。 4. 基准电压源: 由于其稳定的齐纳电压特性,PTZTE258.2B 可作为基准电压源,用于模拟电路或数字电路中的比较器、运算放大器等需要精确电压参考的应用。 5. 汽车电子应用: 罗姆半导体的齐纳二极管常用于汽车电子领域,例如车载传感器、控制单元和电源管理系统中,提供可靠的电压稳定性和保护功能。 6. 消费类电子产品: 在家用电器、音频设备和其他消费类电子产品中,PTZTE258.2B 可用于稳压和保护电路,确保设备在各种工作条件下正常运行。 7. 工业控制: 在工业自动化和控制系统中,该齐纳二极管可用于保护传感器接口、通信模块和电源模块免受电压波动的影响。 总之,PTZTE258.2B 凭借其高可靠性、稳定性和耐压能力,广泛应用于需要电压稳压、保护和参考的各类电子设备中。具体使用时需根据实际电路需求选择合适的参数配置。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS稳压二极管 8.2V 1W |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE258.2B- |
数据手册 | |
产品型号 | PTZTE258.2B |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 5V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | PMDS |
其它名称 | PTZTE258.2BDKR |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 1 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
封装/箱体 | SOD-106 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 1500 |
最大反向漏泄电流 | 20 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.7V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 5 mV/deg C |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 4 欧姆 |
齐纳电压 | 8.75 V |