ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > MM3Z12VB
Datasheet下载- 型号： MM3Z12VB
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MM3Z12VB产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z12VB由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z12VB价格参考￥0.10-￥0.10。Fairchild SemiconductorMM3Z12VB封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 12V 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F。您可以下载MM3Z12VB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MM3Z12VB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的MM3Z12VB是一款单齐纳二极管，其典型应用场景包括以下方面： 1. 电压稳压： MM3Z12VB的齐纳击穿电压约为12V，适用于低功率电路中的电压稳压。它可以通过限制电压波动来保护敏感元件，确保电路在稳定的电压范围内工作。 2. 过压保护： 在电源输入或信号传输线路中，该齐纳二极管可以用来防止过高的电压损坏下游设备。当电压超过设定值时，齐纳二极管会导通并分流多余电流。 3. 参考电压源： 由于其稳定的击穿电压特性，MM3Z12VB可以用作简单的参考电压源，为模拟电路或比较器提供基准电压。 4. 信号箝位： 在信号处理电路中，齐纳二极管可用于将信号电压限制在特定范围内，避免信号幅度过大导致失真或损坏后续电路。 5. ESD保护： 在一些易受静电放电（ESD）影响的电路中，MM3Z12VB可以用作初级防护器件，快速释放高电压以保护核心组件。 6. 音频和射频电路： 齐纳二极管可应用于音频放大器或射频电路中，用于稳定偏置电压或限制信号幅度，从而提高系统性能。 7. 电池充电保护： 在便携式设备的电池充电电路中，齐纳二极管可用于监控和限制充电电压，防止过充对电池造成损害。 总之，MM3Z12VB凭借其紧凑的封装（如SOD-882）和稳定的性能，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域的小型化设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F稳压二极管 Diode Zener 12.0V 200mW 2% |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor MM3Z12VB- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MM3Z12VB |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 900nA @ 8V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | MM3Z12VBTR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 27.600 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SOD-323F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 90 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 23 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 2 % |
| 系列 | MM3Z12 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 23 欧姆 |
| 齐纳电压 | 12 V |
