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- 型号： PTZTE257.5B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PTZTE257.5B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE257.5B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE257.5B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE257.5B封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 7.9V 1W ±6% Surface Mount PMDS。您可以下载PTZTE257.5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTZTE257.5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的齐纳二极管型号PTZTE257.5B，属于单齐纳二极管类别，其标称齐纳电压为7.5V，采用小型表面贴装封装（如SOD-123），具有体积小、响应快、稳定性高等特点。 该器件主要应用于需要精确电压参考或过压保护的电子电路中。常见应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中的电源管理模块，用于稳定参考电压或防止电压波动对敏感元件造成损害；在消费类家电（如电视、音响设备）的控制板中提供稳压功能；工业控制设备和传感器电路中作为基准电压源，确保信号采集的准确性；此外，也广泛用于各类DC-DC转换器、电池充电管理电路以及接口保护电路中，起到电压钳位和静电（ESD）防护作用。 PTZTE257.5B具备良好的温度稳定性和低动态阻抗，适合在宽温度范围内工作的系统使用。其小尺寸封装特别适用于高密度贴装的印刷电路板设计，有助于节省空间并提升整体可靠性。综上，该齐纳二极管是一款性能可靠的稳压与保护元件，广泛服务于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 7.9V 1W PMDS稳压二极管 7.5V 40MA |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE257.5B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTZTE257.5B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 4V |
| 产品 | Zener Diode |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | PTZTE257.5BCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106-2 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 4 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.9V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 4.2 mV/C |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
| 齐纳电压 | 7.889 V |
| 齐纳电流 | 40 mA |
