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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84-B3V6,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84-B3V6,215价格参考。NXP SemiconductorsBZX84-B3V6,215封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.6V 250mW ±2% Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载BZX84-B3V6,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84-B3V6,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84-B3V6,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款表面贴装齐纳二极管,标称齐纳电压为3.6V(典型值),功率为250mW,采用SOD323封装。该器件主要用于电压基准、电压钳位和过压保护等场景。 在低功耗电子系统中,BZX84-B3V6,215 常用于为模拟电路或微控制器提供稳定的参考电压,例如在传感器信号调理电路中确保输入电压不超出安全范围。其小封装特性使其非常适合空间受限的便携式设备,如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。 此外,该齐纳二极管也广泛应用于电源管理电路中,作为ESD(静电放电)保护或瞬态电压抑制元件,防止敏感IC因电压波动而损坏。在通信接口(如I2C、USB信号线)中,可用于钳制异常电压,提升系统可靠性。 由于其响应速度快、稳定性高,BZX84-B3V6,215 还适用于消费类电子产品、工业控制模块及汽车电子中的辅助电路,承担稳压与保护功能。其215后缀表示卷带包装,适合自动化贴片生产,有利于大规模制造应用。 总之,该型号凭借小型化、高可靠性和良好温度稳定性,广泛服务于消费电子、工业与汽车电子等领域中的低压稳压与保护需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.6V 250MW TO236AB稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX84-B3V6,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84-B3V6,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8067-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 2.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
| 零件号别名 | BZX84-B3V6 T/R |
| 齐纳电压 | 3.6 V |