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Datasheet下载- 型号： PTZTE256.8B
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
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PTZTE256.8B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE256.8B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE256.8B价格参考￥1.31-￥2.72。ROHM SemiconductorPTZTE256.8B封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 7.3V 1W ±6% Surface Mount PMDS。您可以下载PTZTE256.8B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTZTE256.8B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的PTZTE256.8B是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别。该型号的齐纳电压为6.8V，常用于电压参考、电压调节和电路保护等应用场景。 该器件广泛应用于以下领域： 1. 电源管理电路：作为基准电压源，为比较器、误差放大器等提供稳定电压，用于DC-DC转换器或稳压电源中。 2. 过压保护电路：用于检测电压是否超过设定阈值，从而触发保护机制，保护后续电路免受高压损坏。 3. 信号调节电路：在模拟电路中用作电压钳位，确保信号电压在安全范围内，防止输入信号过高导致器件损坏。 4. 嵌入式系统与工业控制：用于工业自动化设备、测量仪器、传感器模块等，提供稳定参考电压或实现电压限制功能。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，在电源管理IC周边电路中提供参考电压或实现电压检测功能。 PTZTE256.8B具有小封装、响应速度快、稳定性好等特点，适合高密度、高性能要求的电子设备使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 7.3V 1W PMDS稳压二极管 6.8V 1W |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE256.8B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTZTE256.8B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 3.5V |
| 产品 | Zener Diode |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | PTZTE256.8B-ND |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106-2 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 6 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.3V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 3.2 mV/C |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
| 齐纳电压 | 7.28 V |
| 齐纳电流 | 40 mA |
