Datasheet下载- 型号： PTZTE255.1B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE255.1B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE255.1B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE255.1B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTZTE255.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTZTE255.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的PTZTE255.1B是一款单齐纳二极管，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电压稳压：PTZTE255.1B可以用于电路中的电压稳压功能。齐纳二极管在反向击穿区工作时，能够保持稳定的电压输出，适用于为低功率电路提供稳定的参考电压。 2. 过压保护：该型号的齐纳二极管可用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响。通过将 excess voltage 引导到地，它可以有效地限制电压水平，避免损坏下游电路。 3. 信号电平调整：在信号处理电路中，PTZTE255.1B可用于调整输入或输出信号的电平，确保信号幅度符合后续电路的要求。 4. 基准电压源：由于齐纳二极管能够在一定电流范围内提供稳定的电压，PTZTE255.1B可以用作精密基准电压源，尤其是在需要高精度电压参考的应用中。 5. 电源电路中的应用：在一些简单的电源电路中，这款齐纳二极管可以用来稳定输出电压，特别适合那些对电源稳定性要求较高的小型设备。 6. 音频和射频电路：PTZTE255.1B还可以应用于音频和射频电路中，用作信号限幅器或电压钳位器，以防止信号失真或设备损坏。 总之，PTZTE255.1B作为一款性能可靠的齐纳二极管，广泛应用于各种需要电压稳定、过压保护和信号处理的场景中。其具体使用效果取决于实际电路设计和工作条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.4V 1W PMDS稳压二极管 ZENER 1W 5.1V SURF.MNT. |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE255.1B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTZTE255.1B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diodes - Zener |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | PTZTE255.1BDKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.4V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | - 0.6 mV/deg C |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 5.4 V |
| 齐纳电流 | 40 mA |
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