Datasheet下载- 型号： PTZTE2533B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE2533B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE2533B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE2533B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTZTE2533B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTZTE2533B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTZTE2533B 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款单齐纳二极管，主要用于电压参考和稳压应用。该器件具有稳定的击穿电压和良好的温度特性，适用于对精度和可靠性要求较高的电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：作为基准电压源，用于DC-DC转换器、LDO稳压器等，提供稳定电压参考，确保输出电压的稳定性。 2. 电池管理系统：在便携式设备或电动汽车中，用于监测电池电压，防止过压或欠压情况发生。 3. 工业控制系统：用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块等设备中，提供精确的电压钳位保护和信号调节功能。 4. 汽车电子：应用于车载ECU（电子控制单元）、车载充电器等场景，满足汽车环境对高可靠性和温度稳定性的要求。 5. 通信设备：在基站、光模块等通信系统中，用于电压监测与调节，保障系统运行的稳定性。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑等设备中的内部电压监控与保护电路。 PTZTE2533B 凭借其小型封装和高性能表现，广泛适用于需要高精度电压参考和稳定性的各类电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 35V 1W PMDS稳压二极管 ZENER 1W 33V SURF.MNT. |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE2533B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTZTE2533B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 25V |
| 产品 | Zener Diode |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | PTZTE2533BCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 最大反向漏泄电流 | 10 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 14 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 35V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 30.8 mV/deg C |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 18 欧姆 |
| 齐纳电压 | 21.2 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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