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PTZTE2512B产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE2512B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE2512B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE2512B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 12.5V 1W ±6% Surface Mount PMDS。您可以下载PTZTE2512B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTZTE2512B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTZTE2512B 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压:PTZTE2512B 的核心功能是提供稳定的参考电压。它可以在电源电路中用作电压稳定器,确保负载设备在特定电压范围内正常工作。例如,在低功耗的嵌入式系统或传感器模块中,它可以为微控制器或其他敏感元件提供精确的基准电压。 2. 过压保护:该型号的齐纳二极管可用于保护电路免受瞬态过电压的影响。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并将多余的电流分流到地,从而保护后续电路。这种应用常见于通信接口、USB端口和电源输入部分。 3. 信号电平转换:在模拟电路设计中,PTZTE2512B 可用于将输入信号限制在一个安全的电压范围内。例如,在音频放大器或数据采集系统中,它可以防止输入信号超出器件的工作范围。 4. 基准电压源:由于其稳定的齐纳击穿特性,PTZTE2512B 能够作为基准电压源,为比较器、运算放大器等电路提供可靠的参考电压。这在需要高精度的测量和控制应用中尤为重要。 5. 温度补偿电路:齐纳二极管的反向击穿电压通常会随温度变化,而 PTZTE2512B 具有良好的温度稳定性,适合用于需要温度补偿的精密电路中。 6. 电源监控与复位电路:在一些嵌入式系统中,齐纳二极管可以与电阻和电容配合,构建简单的电源监控电路,以检测电源电压是否低于正常水平,并触发复位信号。 总结来说,PTZTE2512B 广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信设备等领域,尤其是在需要电压稳定、过压保护和基准电压生成的场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 12.5V 1W PMDS稳压二极管 ZENER 1W 12V SURF.MNT. |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE2512B- |
数据手册 | |
产品型号 | PTZTE2512B |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 9V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | PMDS |
其它名称 | 1056-PTZTE2512B-CHP |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 1 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
封装/箱体 | SOD-106 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 1500 |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,500 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12.5V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 8.7 mV/deg C |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 8 欧姆 |
齐纳电压 | 15.6 V |
齐纳电流 | 20 mA |