图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5256B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5256B-7-F价格参考¥0.12-¥0.15。Diodes Inc.MMSZ5256B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5256B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5256B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5256B-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款单齐纳二极管,其典型应用场景包括: 1. 电压稳压:该型号的齐纳二极管可以用于电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以确保输出电压在一定范围内保持恒定,即使输入电压或负载发生变化。 2. 过压保护:MMSZ5256B-7-F 可以用作过压保护器件,防止敏感电子元件因电压过高而损坏。当电路中的电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将电压钳位到安全水平。 3. 信号电平调整:在信号处理电路中,齐纳二极管可用于将输入信号的幅度限制在一个特定范围,避免信号失真或损坏后续电路。 4. 温度补偿:由于齐纳二极管的特性可能随温度变化,MMSZ5256B-7-F 可与其他温度敏感元件配合使用,实现温度补偿功能,从而提高电路的稳定性。 5. 基准电压源:在需要精确电压参考的电路中,如比较器、ADC/DAC 电路等,齐纳二极管可以作为基准电压源,提供稳定且准确的电压值。 6. 浪涌抑制:在电力线或通信线路中,该齐纳二极管能够吸收瞬态电压浪涌,保护下游设备免受损害。 MMSZ5256B-7-F 的具体参数(如齐纳电压、功率耗散等)使其适用于低功耗和中小功率的应用场合,例如消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。选择合适的外围元件和电路设计可以充分发挥其性能优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 30V 500MW SOD123稳压二极管 30V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMSZ5256B-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ5256B-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 23V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ5256B-FDICT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 49 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 30V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ5256B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 49 欧姆 |
齐纳电压 | 30 V |
齐纳电流 | 4.2 mA |