图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS58VS1UR115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS58VS1UR115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS58VS1UR115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PTVS58VS1UR115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS58VS1UR115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS58VS1UR115 是 NXP USA Inc. 推出的一款专用集成电路(ASIC),实为 单向瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于电路保护类专用器件(虽常归入分立器件,但在NXP产品分类中明确列为“Specialty ICs”下的保护IC子类)。其核心参数:击穿电压约58 V,峰值脉冲功率1500 W(10/1000 μs波形),响应时间<1 ns。 主要应用场景包括: - 汽车电子系统:用于车载信息娱乐系统(IVI)、车身控制模块(BCM)、ADAS传感器接口等的CAN总线、LIN总线及电源输入端口,防护ISO 7637-2/ISO 16750-2规定的抛负载(Load Dump,最高达120 V)及开关瞬态干扰; - 工业控制设备:保护PLC数字I/O端口、RS-485通信接口及24 V直流供电线路免受电感负载关断、静电放电(ESD)及雷击感应浪涌影响; - 电源适配器与DC-DC模块输入级:作为二级过压保护器件,配合前端保险丝或PTC,提升系统鲁棒性。 该器件采用SOD123FL小型贴片封装,具备AEC-Q101车规认证,支持-40°C至+150°C工作温度,适用于高可靠性、空间受限的严苛环境。需注意:它不执行逻辑、信号处理或电源管理功能,而是专用于瞬态能量钳位与系统级EMC/电气安全防护。