Datasheet下载- 型号： PTVS18VP1UP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS18VP1UP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS18VP1UP,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS18VP1UP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS18VP1UP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS18VP1UP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS18VP1UP,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 TVS（瞬态电压抑制器）二极管，其主要应用场景包括： 1. 过压保护 - 电源线路保护：用于保护电子设备的电源输入端，防止因雷击、电感负载切换或其他原因引起的电压尖峰对电路造成损害。 - 信号线路保护：适用于通信接口（如 RS-232、RS-485、USB 等）中的瞬态电压抑制，确保信号传输的稳定性。 2. 静电防护 (ESD Protection) - PTVS18VP1UP,115 能够有效抑制静电放电（ESD）事件，广泛应用于手持设备、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）中，保护敏感的集成电路免受 ESD 损害。 3. 汽车电子应用 - 在汽车电子系统中，该 TVS 二极管可用于保护车载电子控制单元（ECU）、传感器、照明系统和娱乐系统等，抵御因电气干扰或负载突变引起的电压波动。 4. 工业控制 - 适用于工业自动化设备中的继电器、电机驱动器和开关电源等场景，提供可靠的瞬态电压保护，延长设备使用寿命。 5. 通信设备 - 在网络设备（如路由器、交换机、基站等）中，PTVS18VP1UP,115 可以保护数据线和天线接口，防止外部干扰导致的损坏。 特性总结： - 额定反向工作电压：18V，适合低电压应用。 - 峰值脉冲电流：高达 115A，具备强大的浪涌吸收能力。 - 快速响应时间：能够迅速抑制瞬态电压，保护后级电路。 总之，PTVS18VP1UP,115 是一款高性能的 TVS 二极管，适用于需要高可靠性和强抗干扰能力的各种电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 18VWM 29.2VC SOD128TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 1CH 21V 20.5A |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS18VP1UP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS18VP1UP,115 |
| PCN封装 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-5318-1 |
| 击穿电压 | 21 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 尺寸 | 2.7 mm W x 4 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 20.5 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 20V |
| 电压-反向关态（典型值） | 18V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 29.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 20.5A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxP1UP |
| 钳位电压 | 29.2 V |
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