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- 型号： PSMN9R5-100XS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN9R5-100XS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN9R5-100XS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN9R5-100XS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN9R5-100XS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN9R5-100XS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN9R5-100XS,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅9.5 mΩ @ Vgs=10V，12 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=100A，脉冲可达320A）及优异的热性能。 其主要应用场景包括： • 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，提升转换效率并降低温升； • 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇及泵类驱动，支持4.5V逻辑电平直接驱动，简化栅极驱动设计； • 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、嵌入式系统中用作主电源开关、热插拔保护或电池保护电路，具备快速开关特性与低传导损耗； • LED照明驱动：用于高亮度LED恒流驱动或调光控制模块，满足高可靠性与长寿命要求； • 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（BCM）、座椅调节、车窗升降等12V/24V低压应用。 该器件凭借小尺寸、高功率密度及强鲁棒性（含雪崩耐量），特别适合空间受限且对能效、散热有严苛要求的中高功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220FMOSFET N-CH 100V 9.6 MOHMS STD LVL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 31.3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN9R5-100XS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN9R5-100XS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 52.6 W |
| Pd-功率耗散 | 52.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4454pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.6 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | 568-9498-5 |
| 功率-最大值 | 52.6W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 8.15 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 31.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44.2A （Tc） |
| 配置 | Single |
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