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Datasheet下载- 型号： PSMN9R0-30LL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN9R0-30LL,115产品简介：
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PSMN9R0-30LL,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 9.0 mΩ @ Vgs = 10 V，11.5 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、快速开关特性及优异的热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC 转换器：广泛用于同步整流 Buck/Boost 转换器的主开关或同步整流管，提升电源效率（尤其在 12V/24V 输入、3.3V–12V 输出的工业与通信电源中）； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动H桥的低侧/高侧开关（需搭配栅极驱动），如电动工具、家用电器、机器人执行器； - 负载开关与电源管理：用于主板、工控板、网络设备中的板级电源域控制、热插拔保护、电池供电系统的高效通断管理； - LED 驱动与照明电源：作为恒流调节开关或 PWM 调光开关，支持高频率调光且温升低； - 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 可靠性标准（注：该型号为工业级，非车规；若用于汽车需确认具体批次认证），常见于车载充电模块、车身控制单元（BCM）中的继电器替代方案。 其逻辑电平兼容性（4.5V 即可充分导通）便于直接由 MCU 或 FPGA 驱动，无需额外电平转换或专用驱动芯片，简化设计并降低成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V QFN3333 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN9R0-30LL,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1193pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 568-5597-6 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/467MP-3"X60YD.jpg)
