Datasheet下载- 型号： PSMN7R5-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R5-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R5-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R5-25YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN7R5-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R5-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R5-25YLC,115 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 7.5 mΩ @ VGS = 10 V，8.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID = 60 A）及优异的开关性能。其逻辑电平驱动特性（兼容 3.3 V/5 V MCU 输出）使其特别适用于空间受限、需高效能与易驱动的中低压功率应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC 转换器：作为同步整流开关或主开关管，用于服务器电源、通信设备及工业电源中的降压（Buck）拓扑，提升转换效率与功率密度； ✅ 电机驱动：在 BLDC 电机控制器、电动工具、风扇/泵驱动中，用作半桥/全桥下管或负载开关，支持高频 PWM 控制与快速关断； ✅ 电源管理与负载开关：用于主板/嵌入式系统中的热插拔保护、电池充放电路径控制、LED 驱动恒流调节等，得益于低导通损耗和强雪崩耐受能力； ✅ 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101（注：该型号为工业级，非车规；若用于车载需确认具体批次认证），常见于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等12 V系统。 其优化的栅极电荷（Qg ≈ 22 nC）与小封装热阻（RθJA ≈ 40 K/W）兼顾开关速度与散热，适合高频率（数十至数百 kHz）、中功率（数十瓦至百瓦级）场景。不推荐用于高压（>60 V）或高di/dt噪声敏感场合，需配合合理PCB布局与驱动设计以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAKMOSFET N-chnl25V7.4m logic lvl MOSFET in LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 56 A |
| Id-连续漏极电流 | 56 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R5-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R5-25YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.55 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.55 V |
| 上升时间 | 11.2 ns |
| 下降时间 | 6.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 921pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.4 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-7590-2 |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 56 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 56A （Tmb） |
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