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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN7R0-100XS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-100XS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-100XS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R0-100XS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN7R0-100XS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R0-100XS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R0-100XS,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值7.0 mΩ @ Vgs=10V，7.8 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=100A，脉冲可达320A）及优异热性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源，利用其低Rds(on)和快速开关特性降低导通与开关损耗； - 电机驱动电路：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机的H桥或半桥驱动，尤其在电动工具、风扇、家用电器中承担主开关功能； - 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：作为充放电主控MOSFET或过流保护开关，支持100V耐压，适配12V–48V电池组； - LED照明驱动：用于恒流调光控制或大功率LED阵列的PWM开关； - 工业PLC模块与电源模块：因LFPAK封装具备高可靠性、良好散热性及兼容自动贴装，适合紧凑型工业电源设计。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5V即可充分导通），简化栅极驱动设计；符合AEC-Q101（车规级）标准，亦可用于车载辅助系统（如车载充电、灯控）。需注意实际应用中应合理设计PCB铜箔散热、栅极驱动阻抗及并联使用时的均流措施。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 55A TO220FMOSFET N-CH 100V 6.8 MOHMS STD LVL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 38.9 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R0-100XS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R0-100XS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 57.7 W |
| Pd-功率耗散 | 57.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6686pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 121nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | 934066042127 |
| 功率-最大值 | 57.7W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Tc） |
| 配置 | Single |
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