Datasheet下载- 型号： PSMN6R0-25YLB,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN6R0-25YLB,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN6R0-25YLB,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN6R0-25YLB,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN6R0-25YLB,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN6R0-25YLB,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN6R0-25YLB,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器：可用于降压或升压转换器中的主开关或同步整流器。 - 负载开关：适用于需要高效开启/关闭的电路，如消费电子设备中的负载控制。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：由于其出色的电流承载能力和低功耗特性，适用于驱动小型风扇、泵或其他直流电机。 - H 桥电路：在双向电机控制应用中，可作为 H 桥的一部分实现正反转功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于锂电池或铅酸电池的充放电保护电路，防止过流、短路等问题。 - 均衡电路：在多节电池组中，用于电池电压均衡以延长电池寿命。 4. 工业自动化 - 固态继电器 (SSR)：替代传统机械继电器，用于开关高电流负载。 - 传感器接口：为工业传感器提供稳定的电源或信号放大。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷控制器、座椅加热器等。 - LED 驱动：用于驱动汽车内外部 LED 灯光系统，确保高效稳定的工作状态。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器：用于适配器内的功率转换部分。 - 家用电器：如空调、冰箱、洗衣机等设备中的功率控制模块。 7. 通信设备 - 基站功率放大器：在通信基站中，用于功率调节和信号处理。 - 网络设备供电：如路由器、交换机等设备的电源管理单元。 总结 PSMN6R0-25YLB,115 的低导通电阻、高电流能力和良好的热性能使其非常适合需要高效功率转换和开关的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车领域，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAKMOSFET N-CH 25 V 6.1 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 73 A |
| Id-连续漏极电流 | 73 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN6R0-25YLB,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN6R0-25YLB,115 |
| Pd-PowerDissipation | 58 W |
| Pd-功率耗散 | 58 W |
| Qg-GateCharge | 9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1099pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.1 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-8529-1 |
| 功率-最大值 | 58W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 73A （Tmb） |
| 配置 | Single Triple Source |
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